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资料
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品类: IGBT晶体管描述: HGTG11N120CND系列 1200 V 43 A 法兰安装 NPT N沟道 IGBT-TO-24741375-24¥3.699025-49¥3.425050-99¥3.2332100-499¥3.1510500-2499¥3.09622500-4999¥3.02775000-9999¥3.0003≥10000¥2.9592
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品类: IGBT晶体管描述: 分离式 IGBT,Fairchild Semiconductor ### IGBT 分立件和模块,Fairchild Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。75385-49¥22.276850-199¥21.3248200-499¥20.7917500-999¥20.65841000-2499¥20.52512500-4999¥20.37285000-7499¥20.2776≥7500¥20.1824
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品类: IGBT晶体管描述: ON Semiconductor FGPF15N60UNDF N沟道 IGBT, 30 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-220F封装38435-24¥2.295025-49¥2.125050-99¥2.0060100-499¥1.9550500-2499¥1.92102500-4999¥1.87855000-9999¥1.8615≥10000¥1.8360
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品类: IGBT晶体管描述: FGL60N100BNTD 管装39925-49¥12.589250-199¥12.0512200-499¥11.7499500-999¥11.67461000-2499¥11.59932500-4999¥11.51325000-7499¥11.4594≥7500¥11.4056
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品类: IGBT晶体管描述: ON Semiconductor ISL9V3040P3 N沟道 IGBT, 21 A, Vce=450 V, 3引脚 TO-220AB封装40475-49¥13.057250-199¥12.4992200-499¥12.1867500-999¥12.10861000-2499¥12.03052500-4999¥11.94125000-7499¥11.8854≥7500¥11.8296
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品类: IGBT晶体管描述: 分离式 IGBT,Fairchild Semiconductor ### IGBT 分立件和模块,Fairchild Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。889710-99¥8.7600100-499¥8.3220500-999¥8.03001000-1999¥8.01542000-4999¥7.95705000-7499¥7.88407500-9999¥7.8256≥10000¥7.7964
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品类: IGBT晶体管描述: 智能电源模块, 30A80655-49¥29.144750-199¥27.8992200-499¥27.2017500-999¥27.02741000-2499¥26.85302500-4999¥26.65375000-7499¥26.5292≥7500¥26.4046
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品类: IGBT晶体管描述: ON Semiconductor FGH60N60SMD N沟道 IGBT, 120 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247AB封装45965-49¥28.103450-199¥26.9024200-499¥26.2298500-999¥26.06171000-2499¥25.89362500-4999¥25.70145000-7499¥25.5813≥7500¥25.4612
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品类: IGBT晶体管描述: ON Semiconductor ISL9V2540S3ST N沟道 IGBT, 15.5 A, Vce=450 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装485810-99¥9.9240100-499¥9.4278500-999¥9.09701000-1999¥9.08052000-4999¥9.01435000-7499¥8.93167500-9999¥8.8654≥10000¥8.8324
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品类: IGBT晶体管描述: 单晶体管, IGBT, 通用, 80 A, 2.3 V, 290 W, 600 V, TO-247AB, 3 引脚88905-49¥18.287150-199¥17.5056200-499¥17.0680500-999¥16.95861000-2499¥16.84912500-4999¥16.72415000-7499¥16.6460≥7500¥16.5678
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品类: IGBT晶体管描述: 单晶体管, IGBT, 通用, 40 A, 600 V, 165 W, 600 V, TO-247AB, 3 引脚45245-49¥14.121950-199¥13.5184200-499¥13.1804500-999¥13.09601000-2499¥13.01152500-4999¥12.91495000-7499¥12.8546≥7500¥12.7942
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268000mW 3Pin(3+Tab) TO-247 Rail345420-49¥0.000050-99¥0.0000100-299¥0.0000300-499¥0.0000500-999¥0.00001000-4999¥0.00005000-9999¥0.0000≥10000¥0.0000
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品类: IGBT晶体管描述: 分离式 IGBT,Fairchild Semiconductor ### IGBT 分立件和模块,Fairchild Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。42625-49¥29.612750-199¥28.3472200-499¥27.6385500-999¥27.46141000-2499¥27.28422500-4999¥27.08175000-7499¥26.9552≥7500¥26.8286
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 50A 3Pin(3+Tab) TO-3PN Rail66145-49¥19.948550-199¥19.0960200-499¥18.6186500-999¥18.49931000-2499¥18.37992500-4999¥18.24355000-7499¥18.1583≥7500¥18.0730
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品类: IGBT晶体管描述: 600 V 40 A 场截止 IGBT42701-9¥47.653210-99¥44.9190100-249¥42.8879250-499¥42.5754500-999¥42.26291000-2499¥41.91142500-4999¥41.5989≥5000¥41.4036
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品类: IGBT晶体管描述: 分离式 IGBT,Fairchild Semiconductor ### IGBT 分立件和模块,Fairchild Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。25225-49¥16.707650-199¥15.9936200-499¥15.5938500-999¥15.49381000-2499¥15.39382500-4999¥15.27965000-7499¥15.2082≥7500¥15.1368
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品类: IGBT晶体管描述: 点火IGBT 15安培, 410伏 Ignition IGBT 15 Amps, 410 Volts132520-49¥0.000050-99¥0.0000100-299¥0.0000300-499¥0.0000500-999¥0.00001000-4999¥0.00005000-9999¥0.0000≥10000¥0.0000
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品类: IGBT晶体管描述: 内部钳位N沟道IGBT Internally Clamped N-Channel IGBT999620-49¥0.000050-99¥0.0000100-299¥0.0000300-499¥0.0000500-999¥0.00001000-4999¥0.00005000-9999¥0.0000≥10000¥0.0000
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品类: IGBT晶体管描述: 点火IGBT 15安培, 350伏特N沟道TO- 220和D2PAK Ignition IGBT 15 Amps, 350 Volts N-Channel TO-220 and D2PAK132220-49¥0.000050-99¥0.0000100-299¥0.0000300-499¥0.0000500-999¥0.00001000-4999¥0.00005000-9999¥0.0000≥10000¥0.0000
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 390V 20A Automotive 3Pin(2+Tab) D2PAK Rail63575-24¥6.588025-49¥6.100050-99¥5.7584100-499¥5.6120500-2499¥5.51442500-4999¥5.39245000-9999¥5.3436≥10000¥5.2704
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 430V 18A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/R49985-24¥6.588025-49¥6.100050-99¥5.7584100-499¥5.6120500-2499¥5.51442500-4999¥5.39245000-9999¥5.3436≥10000¥5.2704
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品类: IGBT晶体管描述: Motor / Motion / Ignition Controllers & Drivers IGBT D2PAK 350V 20A471010-99¥9.5280100-499¥9.0516500-999¥8.73401000-1999¥8.71812000-4999¥8.65465000-7499¥8.57527500-9999¥8.5117≥10000¥8.4799
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品类: IGBT晶体管描述: 点火IGBT 20 A, 350 V, N沟道D2PAK Ignition IGBT 20 A, 350 V, N−Channel D2PAK119120-49¥0.000050-99¥0.0000100-299¥0.0000300-499¥0.0000500-999¥0.00001000-4999¥0.00005000-9999¥0.0000≥10000¥0.0000
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立,On Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管 (IGBT),用于电动机驱动器和其他高电流切换应用。 ### IGBT 分立,On Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。88071-9¥38.991210-99¥36.7540100-249¥35.0921250-499¥34.8364500-999¥34.58071000-2499¥34.29312500-4999¥34.0374≥5000¥33.8776
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立,On Semiconductor ### IGBT 分立,On Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。70385-24¥4.036525-49¥3.737550-99¥3.5282100-499¥3.4385500-2499¥3.37872500-4999¥3.30405000-9999¥3.2741≥10000¥3.2292
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品类: IGBT晶体管描述: ON SEMICONDUCTOR NGTB30N120FL2WG 单晶体管, IGBT, 60 A, 2 V, 452 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚80681-9¥39.003410-99¥36.7655100-249¥35.1031250-499¥34.8473500-999¥34.59151000-2499¥34.30382500-4999¥34.0481≥5000¥33.8882